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SI1300BDL-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1300BDL-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1300BDL-T1-E3价格参考。VishaySI1300BDL-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 400mA(Tc) 190mW(Ta),200mW(Tc) SC-70-3。您可以下载SI1300BDL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1300BDL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1300BDL-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 电源管理:该MOSFET适用于各种开关电源(SMPS)设计,例如DC-DC转换器、降压或升压转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 2. 负载开关:在消费电子、通信设备和计算机系统中,SI1300BDL-T1-E3可用作高效的负载开关,控制电路中不同部分的供电状态,实现快速开启和关闭功能。 3. 电池管理:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中的电池保护电路,提供过流保护、短路保护等功能,同时支持低功耗待机模式。 4. 电机驱动:小型直流电机驱动应用中,这款MOSFET可以作为开关元件,控制电机的启动、停止及速度调节。 5. 信号切换:在音频设备或其他需要高频信号切换的应用场合,该器件能够提供快速且稳定的切换性能。 6. 逆变器与太阳能微逆变器:在一些小型光伏系统中,可用于构建逆变器模块,将直流电转化为交流电输出。 7. LED驱动:为高亮度LED提供精确电流控制,确保照明系统的稳定性和效率。 由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式(SOT-23),SI1300BDL-T1-E3非常适合对空间要求严格且追求高效能表现的设计项目。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI1300BDL-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 35pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.84nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 250mA,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 |
| 其它名称 | SI1300BDL-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 400mA (Tc) |