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  • 型号: SI1300BDL-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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SI1300BDL-T1-E3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1300BDL-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1300BDL-T1-E3价格参考。VishaySI1300BDL-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 400mA(Tc) 190mW(Ta),200mW(Tc) SC-70-3。您可以下载SI1300BDL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1300BDL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI1300BDL-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括:

1. 电源管理:该MOSFET适用于各种开关电源(SMPS)设计,例如DC-DC转换器、降压或升压转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。

2. 负载开关:在消费电子、通信设备和计算机系统中,SI1300BDL-T1-E3可用作高效的负载开关,控制电路中不同部分的供电状态,实现快速开启和关闭功能。

3. 电池管理:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中的电池保护电路,提供过流保护、短路保护等功能,同时支持低功耗待机模式。

4. 电机驱动:小型直流电机驱动应用中,这款MOSFET可以作为开关元件,控制电机的启动、停止及速度调节。

5. 信号切换:在音频设备或其他需要高频信号切换的应用场合,该器件能够提供快速且稳定的切换性能。

6. 逆变器与太阳能微逆变器:在一些小型光伏系统中,可用于构建逆变器模块,将直流电转化为交流电输出。

7. LED驱动:为高亮度LED提供精确电流控制,确保照明系统的稳定性和效率。

由于其出色的电气特性和紧凑的封装形式(SOT-23),SI1300BDL-T1-E3非常适合对空间要求严格且追求高效能表现的设计项目。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平栅极,2.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

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产品图片

产品型号

SI1300BDL-T1-E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

35pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.84nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

850 毫欧 @ 250mA,4.5V

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供应商器件封装

SC-70-3

其它名称

SI1300BDL-T1-E3DKR

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-70,SOT-323

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

400mA (Tc)

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