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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK5A50D(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK5A50D(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK5A50D(STA4,Q,M)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK5A50D(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK5A50D(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK5A50D(STA4,Q,M) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET,主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,具备高效率和低导通损耗特性,适合用于电源调节模块。 2. 电机驱动:可用于小型电机控制电路,如风扇、泵类或电动工具中的驱动电路,具备一定的负载承受能力。 3. 负载开关:在需要控制高边或低边负载的场合,如LED驱动、继电器替代方案中,作为高效开关元件使用。 4. 电池供电设备:由于其相对较低的导通电阻和良好的热稳定性,适合用于便携式设备中的电源切换和管理。 5. 工业控制:在工业自动化系统中,用于PLC输出模块、传感器驱动或小型执行机构的控制电路。 该MOSFET为N沟道类型,耐压500V,连续漏极电流5A,适用于中功率应用,封装形式为TO-220,具备良好的散热性能和可靠性,适合通孔安装。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5A TO220SISMOSFET MOSFET N-CH 500V, 5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK5A50D(STA4,Q,M)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TK5A50D(STA4,Q,M)TK5A50D(STA4,Q,M) |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 2.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |
| 配置 | Single |