Datasheet下载- 型号： SI1032R-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1032R-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1032R-T1-E3价格参考。VishaySI1032R-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1032R-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1032R-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI1032R-T1-E3是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm×1.2mm小型SOT-963（SC-88）封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：由于具备低导通电阻（RDS(on)）和低功耗特性，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品中的电源管理开关，实现高效的电池充放电控制或负载开关功能。 2. 电压反转与电平转换：在低电压逻辑电路中，SI1032R-T1-E3可用于电平移位电路，实现不同电压域之间的信号转换，如1.8V与3.3V系统间的通信接口。 3. 电源开关与负载控制：适用于DC-DC转换器的同步整流、LDO使能控制或作为高边/低边开关，控制外设电源的通断，提高系统能效。 4. 便携式消费类电子产品：广泛应用于蓝牙耳机、移动电源、数码相机等对尺寸和功耗要求严格的设备中，用于电源路径管理或短路保护。 5. 工业与汽车电子辅助电路：在小型传感器模块或车载信息娱乐系统的子电源管理中，提供可靠的开关控制。 该器件具有低阈值电压、高开关速度和良好的热稳定性，适合高频、低电压工作环境。其小型化封装有助于节省PCB空间，提升整体设计密度。综合来看，SI1032R-T1-E3是一款高性能P沟道MOSFET，特别适用于追求高效率、小体积的现代电子设备电源管理场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1032R-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.75nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SC-75A |
| 其它名称 | SI1032R-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75A |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 140mA （Ta） |
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