Datasheet下载- 型号： RTR025N03TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RTR025N03TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTR025N03TL价格参考￥1.09-￥1.66。ROHM SemiconductorRTR025N03TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RTR025N03TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RTR025N03TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RTR025N03TL 是由 Rohm Semiconductor 生产的一款 N 沟道 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - RTR025N03TL 的低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断，降低功耗并提高转换效率。 - 应用实例：AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、充电器等。 2. 电机驱动 - 该器件可以作为电机驱动电路中的功率开关，用于控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻有助于减少发热，提高系统的整体效率。 - 应用实例：小型直流电机、步进电机、风扇驱动等。 3. 负载开关 - 在便携式电子设备中，RTR025N03TL 可用作负载开关，实现对不同模块供电的精确控制，从而延长电池寿命。 - 应用实例：智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。 4. 电池保护电路 - 由于其低导通电阻和良好的热性能，该 MOSFET 常用于电池保护电路中，防止过流、短路或过放电等情况发生。 - 应用实例：锂离子电池组、移动电源等。 5. LED 驱动 - 在 LED 照明应用中，RTR025N03TL 可用于恒流驱动电路，确保 LED 的亮度稳定并延长其使用寿命。 - 应用实例：汽车照明、背光驱动、景观照明等。 6. 信号放大与传输 - 该 MOSFET 还可用于信号放大和传输电路中，特别是在需要快速响应和低损耗的应用场景。 - 应用实例：通信设备、工业自动化控制系统等。 总结 RTR025N03TL 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信等领域。其低导通电阻、高耐压（30V）和出色的热性能，使得它成为许多功率管理应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTR025N03TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RTR025N03TL |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 950 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 950 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 92 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 其它名称 | RTR025N03TLTR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TSMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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