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产品简介:
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NTB5426NT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关等场景,用于高效能电源管理系统,如笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。 2. 负载开关与马达控制:由于具备良好的导通电阻和电流承载能力,适合用于电机驱动、继电器替代方案以及工业自动化控制系统中的负载切换。 3. 电池供电设备:在手持设备、便携式充电器及电池管理系统中,作为高效率开关元件使用,有助于延长电池续航时间。 4. 汽车电子系统:符合AEC-Q101标准,可用于车载电源系统、车身控制模块、LED照明驱动等汽车应用场合。 5. 消费类电子产品:例如智能家电、音响设备、打印机等产品中的功率控制部分。 该器件采用TSOP封装,具有体积小、热性能优良的特点,适合表面贴装工艺,便于实现高密度PCB布局。总体而言,NTB5426NT4G是一款性能稳定、适用范围广泛的通用型功率MOSFET。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTB5426NT4G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 60A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 215W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |