Datasheet下载- 型号： FDB6030BL
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB6030BL由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB6030BL价格参考。Fairchild SemiconductorFDB6030BL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB6030BL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB6030BL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB6030BL 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的场景。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器，用于提高转换效率，降低损耗。 2. 负载开关：在服务器、笔记本电脑、平板等设备中作为电源开关，控制电源通断。 3. 马达驱动：用于小型电机或风扇的控制电路中，实现高效开关控制。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电保护电路中作为开关元件。 5. 工业控制：如PLC、工业电源模块中，用于高频率开关和功率调节。 由于其封装紧凑（如PowerTrench®技术的TDFN封装），FDB6030BL也适用于空间受限的设计，同时具备良好的热性能，适合高密度电源设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB6030BL |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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