/CMF20120D.jpg)
Datasheet下载- 型号： CMF20120D
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CMF20120D由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CMF20120D价格参考。CreeCMF20120D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CMF20120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CMF20120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 CMF20120D 的晶体管，隶属于 Cree/Wolfspeed 品牌，属于碳化硅（SiC）MOSFET器件。该器件具备高耐压、低导通电阻和高频开关特性，适用于对效率与功率密度要求较高的电力电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 新能源汽车领域：用于电动汽车的电机驱动逆变器、车载充电机（OBC）及DC-DC转换器，提高能效并减小系统体积。 2. 工业电源设备：如高效开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和电能质量调节装置，利用其高频特性降低损耗、提升系统效率。 3. 可再生能源系统：应用于光伏逆变器和风力发电变流器中，增强能源转换效率，适应高温与高压工作环境。 4. 储能系统：在电池储能变流器（PCS）中实现高效能量双向流动控制。 5. 轨道交通：用于牵引变流装置，满足高可靠性和高温工况下的稳定运行需求。 综上，CMF20120D凭借其优异的SiC材料性能，广泛服务于高效率、高功率密度及高温应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | Cree, Inc. |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Cree, Inc. CMF20120DZ-FET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CMF20120D |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 90.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 90.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1915pF @ 800V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90.8nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 20A，20V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25362 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Cree, Inc. |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 80 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 应用说明 | |
| 技术 | SiC |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 135 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 90.8 nC |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 7.3 S, 6.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 1.2 kV |
| 漏极连续电流 | 33 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1471904079001 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 25 V |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
