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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL8113STRL由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL8113STRL价格参考。International RectifierIRL8113STRL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL8113STRL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL8113STRL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRL8113STRL的MOSFET,属于低压N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能、低导通电阻和快速开关特性的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机控制及电动工具中,作为功率开关元件,提供快速响应与高可靠性。 3. 电池供电设备:如便携式电子产品、无人机、智能家电等,因其低导通电阻(Rds(on))可降低功耗,延长电池续航时间。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动、车身控制模块(如车窗、门锁控制)等,满足汽车工业对稳定性和耐环境能力的要求。 5. 工业自动化:在PLC、传感器模块、继电器替代方案中,实现高效电控与节能操作。 该MOSFET采用Trench沟槽技术,具备优良的热稳定性和高电流承载能力,适合高频开关应用,是众多中低功率电子系统中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRL8113STRL |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2840pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 21A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 105A (Tc) |