数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUZ73A H3046由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUZ73A H3046价格参考。InfineonBUZ73A H3046封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUZ73A H3046参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUZ73A H3046 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的BUZ73A H3046是一款N沟道功率MOSFET,常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。该器件具有较高的耐压和电流能力,适用于多种工业和消费类应用场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等,用于高效转换和调节电能。 2. 电机控制:在电动工具、工业电机驱动器和家用电器中,作为开关元件控制电机的启停与转速。 3. 照明系统:如LED驱动器、HID灯镇流器等,用于调节和稳定电流输出。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、电机控制、灯光控制等对可靠性和效率要求较高的场景。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源和逆变器中,用于将直流电转换为交流电,支持高效能源转换。 该MOSFET具备良好的热稳定性和导通特性,适合高频开关应用,广泛用于需要节能和小型化设计的电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3MOSFET N-Channel 200V Transistor |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BUZ73A H3046SIPMOS® |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Buz73A+H+G_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e06ee07522605 |
产品型号 | BUZ73A H3046 |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 40 nS |
下降时间 | 30 nS |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 530pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 4.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO-220-3 |
其它名称 | BUZ73AH3046 |
典型关闭延迟时间 | 55 nS |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 600 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
汲极/源极击穿电压 | 200 V |
漏极连续电流 | 5.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A (Tc) |
系列 | BUZ73 |
配置 | Single |
零件号别名 | BUZ73AH3046XKSA1 SP000683006 |