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  • 型号: IRFIZ48GPBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIZ48GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIZ48GPBF价格参考。VishayIRFIZ48GPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFIZ48GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFIZ48GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFIZ48GPBF 是 Vishay Siliconix(现为 Vishay Microelectronics)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。其主要参数包括:漏源电压(VDS)为 60V,连续漏极电流(ID)可达 50A,导通电阻低,适用于高效功率开关应用。

该器件广泛应用于以下场景:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,因其低导通电阻和快速开关特性,有助于提高电源效率。

2. 电机控制:用于直流电机驱动、电动工具、电动车控制器等场合,作为功率开关元件,控制电机启停和转速。

3. 工业自动化:在PLC、工业电源、继电器替代电路中作为高效开关使用。

4. 消费电子:如充电器、电源适配器、LED照明驱动等,满足小型化与高效能需求。

5. 汽车电子:用于车载电源系统、车身控制模块、电池管理系统(BMS)等,具备良好的热稳定性和可靠性。

IRFIZ48GPBF 采用 TO-220 封装,便于散热和安装,适合中高功率应用场景。其 Pb-Free 和 RoHS 合规特性也使其适用于环保要求较高的电子产品中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 37A TO220FPMOSFET N-Chan 60V 37 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

37 A

Id-连续漏极电流

37 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFIZ48GPBF-

数据手册

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产品型号

IRFIZ48GPBFIRFIZ48GPBF

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

18 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

18 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

250 ns

下降时间

250 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 22A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

*IRFIZ48GPBF

典型关闭延迟时间

210 ns

功率-最大值

50W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

37A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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