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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIZ48GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIZ48GPBF价格参考。VishayIRFIZ48GPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFIZ48GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFIZ48GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFIZ48GPBF 是 Vishay Siliconix(现为 Vishay Microelectronics)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。其主要参数包括:漏源电压(VDS)为 60V,连续漏极电流(ID)可达 50A,导通电阻低,适用于高效功率开关应用。 该器件广泛应用于以下场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,因其低导通电阻和快速开关特性,有助于提高电源效率。 2. 电机控制:用于直流电机驱动、电动工具、电动车控制器等场合,作为功率开关元件,控制电机启停和转速。 3. 工业自动化:在PLC、工业电源、继电器替代电路中作为高效开关使用。 4. 消费电子:如充电器、电源适配器、LED照明驱动等,满足小型化与高效能需求。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、车身控制模块、电池管理系统(BMS)等,具备良好的热稳定性和可靠性。 IRFIZ48GPBF 采用 TO-220 封装,便于散热和安装,适合中高功率应用场景。其 Pb-Free 和 RoHS 合规特性也使其适用于环保要求较高的电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 37A TO220FPMOSFET N-Chan 60V 37 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFIZ48GPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFIZ48GPBFIRFIZ48GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 下降时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 22A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFIZ48GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 210 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 37A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |