Datasheet下载- 型号： STH315N10F7-2
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STH315N10F7-2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH315N10F7-2价格参考￥11.83-￥13.50。STMicroelectronicsSTH315N10F7-2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STH315N10F7-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STH315N10F7-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STH315N10F7-2是一款N沟道功率MOSFET，属于100V耐压系列，采用先进的STripFET F7技术，具有低导通电阻、高开关效率和优良的热性能。该器件主要应用于需要高效能、高功率密度的电源管理系统中。 典型应用场景包括： 1. DC-DC转换器：适用于服务器、通信设备和工业电源中的降压（Buck）或升压（Boost）拓扑结构，提供高效能量转换。 2. 电机驱动：广泛用于电动工具、家用电器及工业控制中的中小功率电机控制，因其快速开关能力和低损耗特性，有助于提升系统能效。 3. 电源管理单元（PMU）：在多相供电系统中作为同步整流开关，提高电源整体效率。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路，保障系统安全与稳定性。 5. 照明电源：如LED驱动电源中作为主开关器件，支持高频率工作，减小磁性元件体积。 6. 消费电子与工业设备：适用于各类开关电源（SMPS）、适配器、充电器等高密度电源设计。 该MOSFET采用紧凑型封装（如PowerFLAT 5x6），有利于节省PCB空间并提升散热性能，适合对尺寸和能效有较高要求的应用场景。其优异的雪崩耐受能力和抗短路性能也增强了系统可靠性。总之，STH315N10F7-2是一款面向中高功率应用的高性能MOSFET，特别适用于追求高效率与高可靠性的现代电力电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | STH315N10F7-2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | DeepGATE™， STripFET™ VII |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 毫欧 @ 60A，10V |
| 供应商器件封装 | H²PAK |
| 其它名称 | 497-14718-6 |
| 功率-最大值 | 315W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180A （Tc） |
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