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FDC8884产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC8884由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC8884价格参考。Fairchild SemiconductorFDC8884封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta),8A(Tc) 1.6W(Ta) 6-SSOT。您可以下载FDC8884参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC8884 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC8884 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双N沟道增强型MOSFET,常用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的Trench沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高电流能力和良好的热性能,适合高效率电源管理和负载开关应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器等,提升电源转换效率。 2. 负载开关:作为高效开关元件,用于控制电源分配或外设供电。 3. 电机驱动:适用于小型电机或风扇的驱动电路。 4. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中的电源控制。 5. 工业控制:用于PLC、传感器模块、工业自动化设备中的开关控制。 6. 通信设备:如网络交换机、路由器中的电源模块或信号路径控制。 FDC8884采用小型化封装(如PowerPAK® SO-8),有助于节省PCB空间并提高系统集成度,是高性能、低电压应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOTMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC8884PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDC8884 |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
Pd-功率耗散 | 800 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 465pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 6.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
其它名称 | FDC8884-ND |
功率-最大值 | 800mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 36 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | SSOT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.5A (Ta), 8A (Tc) |
系列 | FDC8884 |
配置 | Single |