Datasheet下载- 型号： IRLZ34NLPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLZ34NLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLZ34NLPBF价格参考。International RectifierIRLZ34NLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLZ34NLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLZ34NLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）旗下的型号 IRLZ34NLPBF 是一款 N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电路中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，用于提高转换效率和降低功耗。 2. 电机控制：在电动工具、电动车或工业自动化设备中，作为电机驱动电路的开关元件。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如LED照明、加热元件等。 4. 逆变器与变频器：在UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等系统中，用于电能转换和调节。 5. 汽车电子：如车载电源系统、电池管理系统（BMS）等，因其具备良好的热稳定性和可靠性。 该MOSFET具有低导通电阻、高电流容量和良好的热性能，适合高频开关应用，是工业控制、消费电子和汽车电子中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 30A TO-262MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLZ34NLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLZ34NLPBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 68 W |
| Pd-功率耗散 | 68 W |
| Qg-GateCharge | 16.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.7 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRLZ34NLPBF |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 60 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 30 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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