ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > IMZ1AT108
Datasheet下载- 型号： IMZ1AT108
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IMZ1AT108由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMZ1AT108价格参考￥0.48-￥0.84。ROHM SemiconductorIMZ1AT108封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 300mW Surface Mount SMT6。您可以下载IMZ1AT108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IMZ1AT108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IMZ1AT108是罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，属于小型信号晶体管阵列，内部集成了两个NPN型晶体管，常用于低功率开关和信号放大应用。该器件采用紧凑的贴片封装（如S-Mini），适合高密度印刷电路板设计。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于其小型化封装和低功耗特性，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的LED驱动、电源管理开关或逻辑电平转换电路。 2. 消费类电子产品：用于家用电器控制板、遥控器、传感器信号调理电路中，实现信号放大或作为小电流开关使用。 3. 工业控制与通信模块：在微控制器外围接口中用作驱动晶体管，控制继电器、蜂鸣器或指示灯；也可用于隔离数字信号或增强驱动能力。 4. LED驱动电路：常用于多路LED背光或状态指示灯的恒流驱动，利用其良好的开关特性和匹配性确保亮度一致。 IMZ1AT108具有良好的热稳定性、高增益和快速开关响应，且两个晶体管特性匹配，适用于需要对称性能的差分放大或推挽输出结构。其集成化设计有助于减少元件数量、简化PCB布局并提升系统可靠性，特别适合空间受限和追求高效率的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 50V 150MA 6SMT两极晶体管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-457 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor IMZ1AT108- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IMZ1AT108 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMZ1AT108TR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | + 7 V, - 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz, 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V, + 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V, + 60 V |
| 集电极连续电流 | + 150 mA / - 150 mA |
| 频率-跃迁 | 180MHz，140MHz |
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