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Datasheet下载- 型号： BC850AMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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BC850AMTF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC850AMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC850AMTF价格参考。Fairchild SemiconductorBC850AMTF封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 100mA 300MHz 310mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载BC850AMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC850AMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的BC850AMTF是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 开关应用：BC850AMTF常用于数字电路中的开关功能，例如驱动继电器、LED或小型电机。它能够在低电流条件下实现高效的开关操作，适用于需要快速响应和低功耗的应用场景。 2. 信号放大：该晶体管可用于音频信号放大器或其他低功率信号放大电路中。由于其具有良好的增益特性（hFE），能够有效地放大微弱信号，适合用在收音机、耳机放大器等设备中。 3. 电源管理：在一些简单的电源管理电路中，如线性稳压器或电池充电器，BC850AMTF可以作为控制元件来调节输出电压或电流。 4. 传感器接口：与各类传感器配合使用时，该晶体管可以用作信号调理电路的一部分，将传感器输出的小信号进行放大处理，以便后续电路进一步分析。 5. 脉宽调制（PWM）控制：在需要通过PWM技术调节亮度或速度的情况下（如LED灯条调光、风扇转速控制等），BC850AMTF可充当功率级驱动器的角色。 6. 通信设备：由于其工作频率范围较宽，还可以应用于某些基础的通信系统中，比如无线发射接收模块内的信号处理部分。 总之，BC850AMTF凭借其出色的电气性能和可靠性，在消费类电子产品、工业自动化、汽车电子以及家用电器等领域都有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor BC850AMTF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC850AMTF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 110 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | BC850AMTFDKR |
| 功率-最大值 | 310mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 60 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 310 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 800 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 110 |
| 系列 | BC850 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 200 mV |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
