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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA2012-TD-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA2012-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SA2012-TD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SA2012-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA2012-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SA2012-TD-E是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款PNP型双极性晶体管(BJT)。该晶体管常用于中功率放大和开关应用。以下是其主要应用场景: 1. 音频放大电路:2SA2012常用于音频功率放大器的前级或驱动级,适用于音响设备、收音机等音频系统中,提供良好的信号放大性能。 2. 电源开关电路:作为开关元件,可用于DC-DC转换器、电源管理模块及负载开关控制中,适用于各类电子设备的电源控制部分。 3. 电机驱动电路:在小型电机或继电器的驱动电路中,2SA2012可作为驱动管使用,适用于家电、工业控制设备和自动化系统。 4. 电压调节电路:可用于线性稳压器或辅助电源电路中,作为调节元件或辅助开关使用。 5. 通用逻辑电路与接口电路:因其良好的开关特性和较高的可靠性,也适用于数字电路中的电平转换、信号驱动等场景。 该晶体管采用TO-252(DPAK)封装,具备较好的散热性能和较高的可靠性,适合表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PNP BIPO 5A 30V SOT89-3 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2SA2012-TD-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 210mV @ 30mA,1.5A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,2V |
供应商器件封装 | PCP |
功率-最大值 | 3.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-243AA |
晶体管类型 | PNP |
标准包装 | 1,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
频率-跃迁 | 420MHz |