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  • 型号: 2SA2012-TD-E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SA2012-TD-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA2012-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SA2012-TD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SA2012-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SA2012-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2SA2012-TD-E是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款PNP型双极性晶体管(BJT)。该晶体管常用于中功率放大和开关应用。以下是其主要应用场景:

1. 音频放大电路:2SA2012常用于音频功率放大器的前级或驱动级,适用于音响设备、收音机等音频系统中,提供良好的信号放大性能。

2. 电源开关电路:作为开关元件,可用于DC-DC转换器、电源管理模块及负载开关控制中,适用于各类电子设备的电源控制部分。

3. 电机驱动电路:在小型电机或继电器的驱动电路中,2SA2012可作为驱动管使用,适用于家电、工业控制设备和自动化系统。

4. 电压调节电路:可用于线性稳压器或辅助电源电路中,作为调节元件或辅助开关使用。

5. 通用逻辑电路与接口电路:因其良好的开关特性和较高的可靠性,也适用于数字电路中的电平转换、信号驱动等场景。

该晶体管采用TO-252(DPAK)封装,具备较好的散热性能和较高的可靠性,适合表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP BIPO 5A 30V SOT89-3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

2SA2012-TD-E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

210mV @ 30mA,1.5A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 500mA,2V

供应商器件封装

PCP

功率-最大值

3.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-243AA

晶体管类型

PNP

标准包装

1,000

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5A

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

420MHz

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