Datasheet下载- 型号： TIP111G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TIP111G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TIP111G价格参考。ON SemiconductorTIP111G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TIP111G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TIP111G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TIP111G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款NPN型达林顿晶体管，属于双极性晶体管（BJT）类别。该器件具有高电流增益、高集电极电流和较高的功率处理能力，常用于需要放大微弱信号或驱动较大负载的场合。 典型应用场景包括： 1. 功率开关电路：TIP111G可作为开关控制继电器、电机、灯泡等中高功率负载，适用于工业控制、自动化设备和电源管理系统。 2. 音频放大器：在低频功率放大电路中，可用于音频信号的输出级放大，常见于音响设备和公共广播系统。 3. 电机驱动：由于其高电流驱动能力，适合用于直流电机的速度与启停控制，广泛应用于家电、电动工具和小型机器人。 4. 电源调节与稳压电路：在线性稳压电源中作为调整元件，配合控制电路实现电压稳定输出。 5. 脉冲宽度调制（PWM）控制：在PWM调光或调速系统中，作为功率输出级，实现高效能控制。 TIP111G采用TO-220封装，具备良好的散热性能，可在较宽温度范围内稳定工作，适用于工业环境和消费类电子产品。其高可靠性与耐用性使其成为中功率应用中的常用器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 2A 80V TO-220AB达林顿晶体管 2A 80V Bipolar Power NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor TIP111G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TIP111G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 2.5V @ 8mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 1A，4V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | TIP111G-ND |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最大集电极截止电流 | 1000 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 2mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 500 |
| 系列 | TIP110 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 频率-跃迁 | - |
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