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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD200RLG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD200RLG价格参考。ON SemiconductorMJD200RLG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD200RLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD200RLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD200RLG 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。它具有较高的电流承载能力,常用于功率开关和放大电路中。 该晶体管的典型应用场景包括: 1. 电源开关电路:由于MJD200RLG具有较高的集电极电流(Ic)和良好的耐压性能,常用于DC-DC转换器、电源管理模块中作为开关元件。 2. 电机驱动电路:在小型电机或直流电机的控制电路中,作为功率驱动管使用,控制电机的启停和转速。 3. 继电器驱动:用于驱动继电器线圈,实现对高电压或高电流负载的控制。 4. 音频放大器:在低频功率放大电路中,用于音频信号的放大输出。 5. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器驱动电路、自动控制设备等工业应用中。 6. 汽车电子:因其具备一定的耐高温和抗干扰能力,也适用于汽车电子系统中,如车灯控制、风扇控制等。 该晶体管采用TO-252封装,具有良好的散热性能,适用于中等功率应用。设计时需注意其最大工作电压、电流及功耗限制,并配合适当的基极驱动电路以确保稳定工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS POWER NPN 5A 25V DPAK两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD200RLG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD200RLG |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.8V @ 1A,5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 45 @ 2A,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD200RLGOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 8 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 65 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 1800 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 12.5 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
| 系列 | MJD200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 频率-跃迁 | 65MHz |