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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7490PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7490PBF价格参考。International RectifierIRF7490PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7490PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7490PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的型号为IRF7490PBF的晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),并且是单个器件。这种MOSFET的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):IRF7490PBF可用作开关元件,适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等高效电源系统。 - 负载切换:在需要快速切换高电流负载的情况下,该MOSFET可以提供低导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗。 2. 电机驱动 - 直流电机控制:用于小型直流电机的启动、停止和速度调节,例如家用电器、玩具或工业自动化设备中的电机驱动。 - H桥电路:作为H桥的一部分,实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 电池管理系统 - 保护电路:用于锂离子电池或其他可充电电池组的过流保护和短路保护。 - 充放电控制:通过精确控制电流流动,确保电池安全充放电。 4. 信号放大与缓冲 - 在某些低频信号处理应用中,IRF7490PBF可以用作信号放大或缓冲的开关元件。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等系统的驱动控制。 - LED照明:用于汽车LED灯的恒流驱动电路。 6. 工业控制 - 继电器替代:在需要高频开关的场合,MOSFET可以替代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。 - 电磁阀驱动:用于工业自动化设备中的电磁阀控制。 特性优势 - 低导通电阻:降低功耗,提升效率。 - 高开关速度:适合高频应用。 - 耐高压能力:支持较高的工作电压,增强系统稳定性。 总之,IRF7490PBF是一款性能优异的MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关和低损耗的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOICMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 5.4 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7490PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7490PBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 37 nC |
Qg-栅极电荷 | 37 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 39 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 4.2 ns |
下降时间 | 11 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1720pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39 毫欧 @ 3.2A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | *IRF7490PBF |
典型关闭延迟时间 | 51 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 39 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 95 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 37 nC |
标准包装 | 95 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 5.4 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.4A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
闸/源击穿电压 | 20 V |