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  • 型号: IRF7490PBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7490PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7490PBF价格参考。International RectifierIRF7490PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7490PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7490PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的型号为IRF7490PBF的晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),并且是单个器件。这种MOSFET的应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源(SMPS):IRF7490PBF可用作开关元件,适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等高效电源系统。
   - 负载切换:在需要快速切换高电流负载的情况下,该MOSFET可以提供低导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗。

 2. 电机驱动
   - 直流电机控制:用于小型直流电机的启动、停止和速度调节,例如家用电器、玩具或工业自动化设备中的电机驱动。
   - H桥电路:作为H桥的一部分,实现电机的正转、反转和制动功能。

 3. 电池管理系统
   - 保护电路:用于锂离子电池或其他可充电电池组的过流保护和短路保护。
   - 充放电控制:通过精确控制电流流动,确保电池安全充放电。

 4. 信号放大与缓冲
   - 在某些低频信号处理应用中,IRF7490PBF可以用作信号放大或缓冲的开关元件。

 5. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等系统的驱动控制。
   - LED照明:用于汽车LED灯的恒流驱动电路。

 6. 工业控制
   - 继电器替代:在需要高频开关的场合,MOSFET可以替代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。
   - 电磁阀驱动:用于工业自动化设备中的电磁阀控制。

 特性优势
- 低导通电阻:降低功耗,提升效率。
- 高开关速度:适合高频应用。
- 耐高压能力:支持较高的工作电压,增强系统稳定性。

总之,IRF7490PBF是一款性能优异的MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关和低损耗的场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOICMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 39mOhms 37nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

5.4 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7490PBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRF7490PBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

37 nC

Qg-栅极电荷

37 nC

RdsOn-漏源导通电阻

39 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4.2 ns

下降时间

11 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1720pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

56nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

39 毫欧 @ 3.2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

*IRF7490PBF

典型关闭延迟时间

51 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

39 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

37 nC

标准包装

95

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

5.4 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.4A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

闸/源击穿电压

20 V

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