Datasheet下载- 型号： RSR020P03TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSR020P03TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSR020P03TL价格参考。ROHM SemiconductorRSR020P03TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSR020P03TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSR020P03TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RSR020P03TL是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和负载开关等应用，提供高效的电力传输和控制。 2. 电机驱动：用于小型直流电机的驱动和控制，能够实现快速开关和精确的速度调节。 3. 电池保护：在便携式设备中用作电池保护电路中的开关元件，防止过充或过放。 4. 汽车电子：可用于汽车电子系统中的负载切换和保护，如电动窗户、座椅调节等。 5. 消费电子：在各种消费电子产品中作为开关或放大器使用，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的充电管理。 6. 工业自动化：在工业控制领域中用于信号放大、传感器接口和继电器替代等。 RSR020P03TL具有低导通电阻（典型值为2.0mΩ）、高电流能力和出色的热性能，使其非常适合上述应用场合，确保系统运行的稳定性和效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | +/- 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSR020P03TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSR020P03TL |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 370pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 其它名称 | RSR020P03TLDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 150 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TSMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | +/- 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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