ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > SMUN5311DW1T2G
Datasheet下载- 型号： SMUN5311DW1T2G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5311DW1T2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5311DW1T2G价格参考￥0.56-￥3.18。ON SemiconductorSMUN5311DW1T2G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载SMUN5311DW1T2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5311DW1T2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5311DW1T2G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管阵列，内置电阻，采用SOT-26封装。该器件集成了一个NPN型BJT及内置偏置电阻网络，简化了电路设计，无需外接基极电阻，适合高密度和小型化应用。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑中的开关控制电路，得益于小尺寸封装和低功耗特性，适用于空间受限的移动产品。 2. 逻辑电平转换与驱动电路：可实现微控制器与较高电压器件之间的信号接口，常用于I/O扩展或LED驱动控制。 3. 电源管理开关：作为负载开关或电源通断控制元件，用于电池供电系统中以降低待机功耗。 4. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、家用电器中的继电器或指示灯驱动电路。 5. 工业控制与传感器模块：用于信号放大、开关控制或传感器输出驱动，提升系统集成度与可靠性。 SMUN5311DW1T2G具备高可靠性、良好的温度稳定性及符合RoHS环保要求，广泛适用于需要小型化、高效率和简化设计的通用开关与放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN5311DW1T2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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