Datasheet下载- 型号： HAT2164H-EL-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2164H-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2164H-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2164H-EL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HAT2164H-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HAT2164H-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America（瑞萨电子）的HAT2164H-EL-E是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道功率MOSFET。该器件主要面向需要高效能与低导通电阻的应用场景。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、稳压器等电源模块，因其低导通电阻可减少功率损耗，提高能效。 2. 负载开关：用于控制电池供电设备中的电源通断，如便携式电子产品、智能电表等，具有快速开关和低静态功耗的优点。 3. 电机驱动：在小型电机或步进电机控制电路中作为开关元件使用，适合要求响应快、效率高的场合。 4. LED照明：用于LED驱动电路中，实现对高亮度LED的稳定控制。 5. 汽车电子：因瑞萨产品多面向工业与车用市场，此型号也可能用于车载充电系统、车身控制模块等环境。 6. 工业自动化：作为功率开关用于PLC、传感器模块及自动控制系统中。 总结来说，HAT2164H-EL-E适用于需要高效、低功耗、小尺寸封装的中低功率应用领域，尤其适合空间受限但对性能有较高要求的设计方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HAT2164H-EL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.1 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Ta） |
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