Datasheet下载- 型号： MVSF2N02ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MVSF2N02ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MVSF2N02ELT1G价格参考。ON SemiconductorMVSF2N02ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MVSF2N02ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MVSF2N02ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MVSF2N02ELT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，适用于低电压、中等功率的开关应用。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：该器件常用于DC-DC转换器、电源开关和负载开关中，因其导通电阻低、开关速度快，适合用于便携式电子产品（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机）中的电源管理系统。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中，如无人机、电动玩具或家用电器中的直流电机控制，MVSF2N02ELT1G 可作为高效的开关元件使用。 3. 电池供电设备：由于其低功耗特性，适用于电池供电系统中的开关控制，如电池充电管理、电源切换等。 4. LED照明：可用于LED驱动电路中的开关控制，实现高效调光或开关操作。 5. 工业自动化：在工业控制模块中，用于继电器替代、传感器开关或执行器驱动电路中，提高系统响应速度和可靠性。 该MOSFET采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于对空间和效率有要求的电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MVSF2N02ELT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Ta） |
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