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  • 型号: BUK7631-100E,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BUK7631-100E,118产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7631-100E,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7631-100E,118价格参考¥2.19-¥2.32。NXP SemiconductorsBUK7631-100E,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 34A(Tc) 96W(Tc) D2PAK。您可以下载BUK7631-100E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7631-100E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 BUK7631-100E,118 是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单(单通道 MOSFET)。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - BUK7631-100E 适用于开关模式电源的设计,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。其低导通电阻(Rds(on))和高开关频率特性使其在效率要求高的电源转换应用中表现优异。
   - 常见于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他消费电子产品的电源模块。

 2. 电机驱动
   - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。
   - 其额定电压为 100V,适合低压电机驱动场景,如家用电器(风扇、水泵)和电动工具。

 3. 逆变器与太阳能微逆变器
   - 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,BUK7631-100E 可作为功率级开关元件,实现高效的能量转换。
   - 它支持高频开关操作,有助于减小滤波器尺寸并提高系统效率。

 4. LED 驱动器
   - 用于 LED 照明系统的恒流驱动电路中,能够精确控制电流以确保 LED 的亮度一致性和寿命。
   - 特别适合大功率 LED 灯具或显示屏背光应用。

 5. 负载开关与保护电路
   - 在消费类电子产品(如智能手机、平板电脑等)中,可用作负载开关,控制电源的接通与断开。
   - 同时,它也可用于过流保护、短路保护等电路设计中,提升系统的安全性。

 6. 音频放大器
   - 在 D 类音频放大器中,BUK7631-100E 可用作输出级开关器件,提供高效率和低失真性能。
   - 适用于便携式音响设备和汽车音响系统。

 7. 通信设备
   - 在基站、路由器或其他通信设备的电源管理模块中,这款 MOSFET 可用于稳压和功率分配。

 总结
BUK7631-100E,118 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。其主要优势在于低导通电阻(降低功耗)、快速开关能力和稳定的性能表现,非常适合对效率和热管理有较高要求的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 34A D2PAKMOSFET BUK7631-100E/D2PAK/REEL13

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

34 A

Id-连续漏极电流

34 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7631-100E,118TrenchMOS™

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产品型号

BUK7631-100E,118

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

96 W

Pd-功率耗散

96 W

Qg-GateCharge

29.4 nC

Qg-栅极电荷

29.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

84 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

84 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

上升时间

18.2 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1738pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

29.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

31 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-10170-2
934066642118
BUK7631-100E,118-ND
BUK7631100E118

典型关闭延迟时间

22.1 ns

功率-最大值

96W

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

34A (Tc)

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