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BUK7631-100E,118产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7631-100E,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7631-100E,118价格参考¥2.19-¥2.32。NXP SemiconductorsBUK7631-100E,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 34A(Tc) 96W(Tc) D2PAK。您可以下载BUK7631-100E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK7631-100E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BUK7631-100E,118 是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单(单通道 MOSFET)。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - BUK7631-100E 适用于开关模式电源的设计,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。其低导通电阻(Rds(on))和高开关频率特性使其在效率要求高的电源转换应用中表现优异。 - 常见于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他消费电子产品的电源模块。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。 - 其额定电压为 100V,适合低压电机驱动场景,如家用电器(风扇、水泵)和电动工具。 3. 逆变器与太阳能微逆变器 - 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,BUK7631-100E 可作为功率级开关元件,实现高效的能量转换。 - 它支持高频开关操作,有助于减小滤波器尺寸并提高系统效率。 4. LED 驱动器 - 用于 LED 照明系统的恒流驱动电路中,能够精确控制电流以确保 LED 的亮度一致性和寿命。 - 特别适合大功率 LED 灯具或显示屏背光应用。 5. 负载开关与保护电路 - 在消费类电子产品(如智能手机、平板电脑等)中,可用作负载开关,控制电源的接通与断开。 - 同时,它也可用于过流保护、短路保护等电路设计中,提升系统的安全性。 6. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中,BUK7631-100E 可用作输出级开关器件,提供高效率和低失真性能。 - 适用于便携式音响设备和汽车音响系统。 7. 通信设备 - 在基站、路由器或其他通信设备的电源管理模块中,这款 MOSFET 可用于稳压和功率分配。 总结 BUK7631-100E,118 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。其主要优势在于低导通电阻(降低功耗)、快速开关能力和稳定的性能表现,非常适合对效率和热管理有较高要求的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 34A D2PAKMOSFET BUK7631-100E/D2PAK/REEL13 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 34 A |
Id-连续漏极电流 | 34 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7631-100E,118TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BUK7631-100E,118 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 96 W |
Pd-功率耗散 | 96 W |
Qg-GateCharge | 29.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 29.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 84 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 84 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
上升时间 | 18.2 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1738pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 31 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 568-10170-2 |
典型关闭延迟时间 | 22.1 ns |
功率-最大值 | 96W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 34A (Tc) |