Datasheet下载- 型号： SIR496DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR496DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR496DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR496DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR496DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR496DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR496DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能，广泛应用于需要高效功率管理的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电池供电设备：如便携式电子产品、电动工具和无人机，该 MOSFET 可提高电池能量利用率并延长续航时间。 3. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）驱动器和电动车辆中的电机控制系统，提供快速开关和低损耗性能。 4. 汽车电子：如车载充电器、电池管理系统（BMS）和车身控制模块，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 5. 工业自动化：用于工业电机驱动、PLC 和自动化设备中的功率开关，支持高频操作和稳定性能。 该器件采用紧凑的 PowerPAK® 封装，适合高密度电路设计，适用于需要高效能与小型化的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8MOSFET 20V 35A 27.7W 4.2mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR496DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR496DP-T1-GE3SIR496DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR496DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 27.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 50 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/TurboFET_N.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR496DP-GE3 |
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