Datasheet下载- 型号： NTDV20N06T4G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTDV20N06T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTDV20N06T4G价格参考。ON SemiconductorNTDV20N06T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTDV20N06T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTDV20N06T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTDV20N06T4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件具有20A的连续漏极电流和60V的漏源击穿电压，导通电阻低（典型值约18mΩ），具备良好的开关性能和导通效率。 该MOSFET广泛应用于需要高效、低功耗开关控制的场合。常见应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电压调节模块等，实现高效的能量转换； 2. 电机驱动：适用于小型直流电机、步进电机的驱动电路，如电动工具、家用电器中的电机控制； 3. 负载开关：在电池供电设备中作为高端或低端开关，控制电源通断，减少待机功耗； 4. 逆变器与UPS：用于不间断电源、逆变器等设备中的功率切换环节； 5. 消费电子与工业控制：如LED驱动电源、充电器、电源适配器以及工业自动化控制板卡中。 其采用DPAK（TO-252）封装，便于散热，适合中等功率应用。此外，该器件符合RoHS环保要求，并具备高可靠性，适用于对稳定性和能效要求较高的系统设计。总体而言，NTDV20N06T4G是一款性价比高、通用性强的功率MOSFET，适合多种中低压功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTDV20N06T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1015pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 1.88W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
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