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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN1019USN-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN1019USN-7价格参考¥0.68-¥0.88。Diodes Inc.DMN1019USN-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 12V 9.3A(Ta) 680mW(Ta) SC-59。您可以下载DMN1019USN-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN1019USN-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN1019USN-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、小封装和高开关速度等特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 便携式设备电源管理 DMN1019USN-7 的小型化封装(如 DFN 封装)和低导通电阻特性使其非常适合用于便携式设备中的电源管理电路,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它可用于负载开关、电池保护电路以及 DC-DC 转换器中。 2. 负载开关 该 MOSFET 可用作高效负载开关,控制电路中不同部分的供电状态。其低 Rds(on) 特性减少了功率损耗,提高了系统的整体效率。 3. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动应用中,DMN1019USN-7 可作为功率级开关元件,用于控制电机的启停和转向。其快速开关能力有助于实现高效的 PWM 控制。 4. 电源适配器与充电器 该器件适用于 USB 充电器、电源适配器和其他便携式设备充电解决方案中。它可以用于同步整流、初级侧开关或次级侧开关等场景,提高转换效率并减小热量产生。 5. 信号切换与保护 DMN1019USN-7 可用于信号路径中的切换和保护功能,例如在数据通信接口(如 USB 或 UART)中提供过流保护或短路保护。 6. 电池管理系统 (BMS) 在电池管理系统中,该 MOSFET 可用于电池组的充放电控制、过流保护和短路保护,确保电池的安全运行。 7. LED 驱动 该器件适合用于低功率 LED 驱动电路,尤其是在需要高效率和紧凑设计的应用中,例如背光照明、指示灯或小型显示屏。 总结来说,DMN1019USN-7 凭借其出色的电气性能和紧凑封装,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域,特别是在对效率、空间和可靠性要求较高的场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN1019USN-7 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | * |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50.6nC @ 8V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 9.7A,4.5V |
供应商器件封装 | SC-59 |
其它名称 | DMN1019USN-7DIDKR |
功率-最大值 | 680mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.3A (Ta) |