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  • 型号: DMN1019USN-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMN1019USN-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN1019USN-7价格参考¥0.68-¥0.88。Diodes Inc.DMN1019USN-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 12V 9.3A(Ta) 680mW(Ta) SC-59。您可以下载DMN1019USN-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN1019USN-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DMN1019USN-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、小封装和高开关速度等特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景:

1. 便携式设备电源管理  
   DMN1019USN-7 的小型化封装(如 DFN 封装)和低导通电阻特性使其非常适合用于便携式设备中的电源管理电路,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它可用于负载开关、电池保护电路以及 DC-DC 转换器中。

2. 负载开关  
   该 MOSFET 可用作高效负载开关,控制电路中不同部分的供电状态。其低 Rds(on) 特性减少了功率损耗,提高了系统的整体效率。

3. 电机驱动  
   在小型直流电机或步进电机驱动应用中,DMN1019USN-7 可作为功率级开关元件,用于控制电机的启停和转向。其快速开关能力有助于实现高效的 PWM 控制。

4. 电源适配器与充电器  
   该器件适用于 USB 充电器、电源适配器和其他便携式设备充电解决方案中。它可以用于同步整流、初级侧开关或次级侧开关等场景,提高转换效率并减小热量产生。

5. 信号切换与保护  
   DMN1019USN-7 可用于信号路径中的切换和保护功能,例如在数据通信接口(如 USB 或 UART)中提供过流保护或短路保护。

6. 电池管理系统 (BMS)  
   在电池管理系统中,该 MOSFET 可用于电池组的充放电控制、过流保护和短路保护,确保电池的安全运行。

7. LED 驱动  
   该器件适合用于低功率 LED 驱动电路,尤其是在需要高效率和紧凑设计的应用中,例如背光照明、指示灯或小型显示屏。

总结来说,DMN1019USN-7 凭借其出色的电气性能和紧凑封装,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域,特别是在对效率、空间和可靠性要求较高的场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

DMN1019USN-7

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

800mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

*

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50.6nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 9.7A,4.5V

供应商器件封装

SC-59

其它名称

DMN1019USN-7DIDKR

功率-最大值

680mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.3A (Ta)

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