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产品简介:
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FDP3205 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等,提高电源转换效率。 2. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如电机驱动、LED照明等。 3. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中,实现低功耗与高效能。 4. 工业控制:用于工业自动化设备中的开关控制与功率调节。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和耐高温特性,适合高效率、小体积设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDP3205 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerTrench® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7730pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 59A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 150W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |