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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN2B03E6TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN2B03E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN2B03E6TA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXMN2B03E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN2B03E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMN2B03E6TA是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,主要应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理: ZXMN2B03E6TA适用于各种电源管理电路,例如DC-DC转换器、降压/升压转换器和线性稳压器。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高整体效率。 2. 负载开关: 在便携式设备中,这款MOSFET可用作负载开关,实现对不同功能模块的动态供电控制,从而降低待机功耗并延长电池寿命。 3. 电机驱动: 该器件适合小型直流电机或步进电机的驱动应用,能够提供高效的开关性能和良好的热稳定性,确保电机运行平稳。 4. 电池保护: 在锂电池或其他可充电电池组中,ZXMN2B03E6TA可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流等功能,保障电池安全。 5. 信号切换: 它可以用于音频、视频或数据信号的切换电路,实现多路输入/输出的选择与隔离。 6. 汽车电子: 虽然具体参数需进一步确认是否满足车规要求,但类似规格的MOSFET常用于汽车内部照明、座椅调节系统等低压控制场合。 7. 消费类电子产品: 包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器及智能家居设备在内的多种消费类产品均可采用此款MOSFET以优化能源使用。 总之,ZXMN2B03E6TA凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式,在众多需要高性能开关元件的应用领域展现了广泛适用性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | ZXMN2B03E6TA |
PCN其它 | |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 4.3A,4.5V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | SOT-23-6 |
其它名称 | ZXMN2B03E6DKR |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Ta) |