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型号： IPD320N20N3GBTMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD320N20N3GBTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD320N20N3GBTMA1价格参考。InfineonIPD320N20N3GBTMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 200V 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3。您可以下载IPD320N20N3GBTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD320N20N3GBTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的IPD320N20N3GBTMA1是一款N沟道功率MOSFET，属于200V耐压级别的硅基MOSFET，采用TSDSON-8封装，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件广泛应用于对效率和功率密度要求较高的场景。

主要应用场景包括：  
1. 电源转换系统：如高效率AC-DC和DC-DC电源模块，尤其适用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流电路，有助于提升能效并降低热损耗。  
2. 电机驱动：用于电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）和小型工业电机控制中，提供快速开关响应和稳定工作性能。  
3. 照明电源：在LED驱动电源中作为主开关或同步整流元件，支持高功率密度设计。  
4. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、充电器等便携设备电源管理单元，因其小封装和高效特性，有利于实现紧凑化设计。  
5. 光伏逆变器：在小型太阳能逆变系统中用于直流侧开关，提高能量转换效率。

该MOSFET具备优化的栅极电荷和导通电阻（Rds(on)），可在高频率下运行，同时降低传导和开关损耗，适合高频开关应用。其坚固的封装设计也提升了散热性能和可靠性，适用于严苛的工作环境。总之，IPD320N20N3GBTMA1是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种中低功率电力电子系统。

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