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Datasheet下载- 型号： FDN360P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN360P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN360P价格参考。Fairchild SemiconductorFDN360P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3。您可以下载FDN360P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN360P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN360P是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET，常用于低电压、低功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于采用SOT-23小型封装，体积小、功耗低，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携产品中，用于电源管理、负载开关或信号切换。 2. 电源开关与控制电路：适合作为高边或低边开关，控制电池供电的通断，实现节能和系统保护功能，如防止反向电流或过流。 3. 逻辑电平转换：在不同电压域之间进行信号电平转换，例如将3.3V逻辑信号控制5V或更低电压的负载，适用于微控制器与外围器件之间的接口电路。 4. LED驱动与控制：可用于小型LED指示灯或背光的开关控制，因其导通电阻较低（典型值约0.5Ω），能有效减少功耗和发热。 5. 电机驱动与继电器驱动：在微型直流电机或固态继电器控制中作为驱动开关，适用于玩具、家用小电器等低功率设备。 6. 保护电路：用于防反接、过压保护或热插拔电路中，提升系统可靠性。 FDN360P具有低阈值电压（通常-1V至-2V）、快速开关响应和良好的热稳定性，适合在-55°C至+150°C工业级温度范围内稳定工作，是许多消费类和工业类电子产品中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3MOSFET SSOT-3 P-CH -30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN360PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN360P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 63 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 63 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 298pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN360PTR |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 系列 | FDN360P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN360P_NL |
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