ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > NTJD4401NT1G
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD4401NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD4401NT1G价格参考¥0.50-¥0.91。ON SemiconductorNTJD4401NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 630mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJD4401NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJD4401NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NTJD4401NT1G是一款P沟道MOSFET阵列器件,内部集成两个相同的P沟道MOSFET,采用双封装设计,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要低功耗、高效率开关控制的场合。 典型应用场景包括:便携式消费类电子产品中的电源管理,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换与负载开关;用于电压电平转换电路,在不同电压域之间实现信号隔离与匹配;在LED背光驱动或指示灯控制中作为开关元件;还可用于小型电机控制、传感器电源开关以及各类低功率DC-DC转换器中的同步整流或控制开关。 NTJD4401NT1G具有低阈值电压、低导通电阻(RDS(on))和小尺寸封装(如SOT-563),适合电池供电系统以降低功耗并提升能效。其稳定的工作性能和高可靠性也使其广泛应用于工业控制、通信模块及便携式医疗设备中。总体而言,该器件适用于需要紧凑设计、低电压操作和高效开关控制的多种电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 775 mA |
| Id-连续漏极电流 | 775 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTJD4401NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTJD4401NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.27 W |
| Pd-功率耗散 | 270 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 510 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 510 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 227 ns |
| 下降时间 | 227 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 375 毫欧 @ 630mA,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | NTJD4401NT1GOS |
| 典型关闭延迟时间 | 786 ns |
| 功率-最大值 | 270mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 630mA |
| 系列 | NTJD4401N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |