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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB132N50P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB132N50P3价格参考。IXYSIXFB132N50P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFB132N50P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFB132N50P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFB132N50P3是一款高功率MOSFET晶体管,主要用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。其应用场景包括: 1. 工业电源与UPS系统:适用于不间断电源(UPS)、工业开关电源、DC-AC逆变器等,提供稳定的高电流输出和低导通损耗。 2. 电机驱动与变频器:在交流电机控制、伺服驱动器和变频调速系统中作为主开关元件,支持高频切换,提高系统响应速度与效率。 3. 新能源领域:如太阳能逆变器、风力发电变流装置中,用于将直流电转换为交流电并网使用,具备良好的热稳定性和耐压能力。 4. 电动汽车充电设备:应用于充电桩内部的功率变换模块,满足高电压、大电流工作条件下的安全与效率需求。 5. 焊接电源与感应加热:作为高频开关器件,用于提升焊接或加热设备的能量转换效率,减小设备体积。 该器件具有132A连续漏极电流、500V漏源击穿电压及低导通电阻特性,适合高温环境下运行,并采用TO-264封装,便于散热设计。由于其优异的动态性能和耐用性,广泛应用于各类高性能电力电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264MOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 132 A |
Id-连续漏极电流 | 132 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFB132N50P3Polar3™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFB132N50P3 |
Pd-PowerDissipation | 1890 W |
Pd-功率耗散 | 1.89 kW |
Qg-GateCharge | 250 nC |
Qg-栅极电荷 | 250 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 39 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 39 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 9 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 18600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39 毫欧 @ 66A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PLUS264™ |
功率-最大值 | 1890W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 39 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
封装/箱体 | PLUS 264-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 25 |
正向跨导-最小值 | 115 S, 68 S |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 132 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 132A (Tc) |
系列 | IXFB132N50 |
配置 | Single |