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  • 型号: IXFB132N50P3
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB132N50P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB132N50P3价格参考。IXYSIXFB132N50P3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFB132N50P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFB132N50P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFB132N50P3是一款高功率MOSFET晶体管,主要用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。其应用场景包括:

1. 工业电源与UPS系统:适用于不间断电源(UPS)、工业开关电源、DC-AC逆变器等,提供稳定的高电流输出和低导通损耗。

2. 电机驱动与变频器:在交流电机控制、伺服驱动器和变频调速系统中作为主开关元件,支持高频切换,提高系统响应速度与效率。

3. 新能源领域:如太阳能逆变器、风力发电变流装置中,用于将直流电转换为交流电并网使用,具备良好的热稳定性和耐压能力。

4. 电动汽车充电设备:应用于充电桩内部的功率变换模块,满足高电压、大电流工作条件下的安全与效率需求。

5. 焊接电源与感应加热:作为高频开关器件,用于提升焊接或加热设备的能量转换效率,减小设备体积。

该器件具有132A连续漏极电流、500V漏源击穿电压及低导通电阻特性,适合高温环境下运行,并采用TO-264封装,便于散热设计。由于其优异的动态性能和耐用性,广泛应用于各类高性能电力电子系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264MOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

132 A

Id-连续漏极电流

132 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFB132N50P3Polar3™ HiPerFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IXFB132N50P3

Pd-PowerDissipation

1890 W

Pd-功率耗散

1.89 kW

Qg-GateCharge

250 nC

Qg-栅极电荷

250 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

39 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

39 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

9 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

18600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

250nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

39 毫欧 @ 66A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PLUS264™

功率-最大值

1890W

包装

管件

商标

IXYS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

39 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

封装/箱体

PLUS 264-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

标准包装

25

正向跨导-最小值

115 S, 68 S

汲极/源极击穿电压

500 V

漏极连续电流

132 A

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

132A (Tc)

系列

IXFB132N50

配置

Single

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