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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB30N20T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB30N20T4G价格参考。ON SemiconductorNTB30N20T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTB30N20T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTB30N20T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB30N20T4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器中,实现高效能电能转换,尤其适用于中高功率应用。 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中作为功率开关,提供快速响应和良好的热稳定性。 3. 逆变器与变频器:用于UPS(不间断电源)、太阳能逆变器及工业变频设备中,支持高频率开关操作,提升系统效率。 4. 汽车电子:如车载充电系统、电动工具及车身控制模块,得益于其高可靠性和耐压能力(200V),适合车载复杂环境。 5. 工业控制:在工业自动化设备中作为负载开关或功率调节元件,支持高电流负载的稳定控制。 该器件具备低导通电阻、高耐压和优良热性能,适合高效率、高密度电源设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB30N20T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2335pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 81 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB30N20T4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Ta) |