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FDB110N15A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB110N15A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB110N15A价格参考¥13.99-¥16.59。Fairchild SemiconductorFDB110N15A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 92A(Tc) 234W(Tc) D²PAK。您可以下载FDB110N15A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB110N15A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB110N15A 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): FDB110N15A 的耐压值为 150V,适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以在 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和 PFC(功率因数校正)电路中作为主开关或同步整流元件。 2. 电机驱动: 该器件的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 0.38Ω @ Vgs=10V)使其非常适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,能够高效地控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关: 在需要高效切换负载的应用中,例如工业控制系统或消费电子设备中,FDB110N15A 可以用作负载开关,提供快速且低损耗的电流切换功能。 4. 逆变器: 在太阳能微逆变器或其他小型逆变器中,FDB110N15A 可用于实现 DC-AC 转换,支持高效的能量转换过程。 5. 电池管理: 该 MOSFET 可用于电池保护电路中,作为充放电路径的开关,确保电池的安全运行并防止过流或短路。 6. 继电器替代: 在需要快速响应和高可靠性的应用中,可以使用 FDB110N15A 替代传统的机械继电器,从而减少磨损并提高系统寿命。 7. 照明控制: 在 LED 照明驱动电路中,这款 MOSFET 可用于调光或恒流控制,确保灯光亮度稳定并延长 LED 寿命。 综上所述,FDB110N15A 凭借其良好的电气特性和可靠性,适用于多种电力电子领域,特别是在需要高效开关和低功耗的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 92A D2PAKMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 92 A |
| Id-连续漏极电流 | 92 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB110N15APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB110N15A |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 234 W |
| Pd-功率耗散 | 234 W |
| Qg-GateCharge | 47 nC |
| Qg-栅极电荷 | 47 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 26 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4510pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 92A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB110N15A-ND |
| 功率-最大值 | 234W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 118 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 92A (Tc) |
| 系列 | FDB110N15A |