Datasheet下载- 型号： ZVNL110ASTOA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVNL110ASTOA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVNL110ASTOA价格参考。Diodes Inc.ZVNL110ASTOA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVNL110ASTOA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVNL110ASTOA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVNL110ASTOA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于低压、小信号 MOSFET 器件。其主要应用场景包括便携式电子设备和低功耗电路设计。 该器件常用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理开关，因其导通电阻低（RDS(on) 典型值约 2.5Ω），能有效减少功耗，提升能效。此外，ZVNL110ASTOA 具有较低的栅极阈值电压（约 0.9V 至 1.4V），适合与低电压逻辑信号（如 1.8V 或 3.3V 控制系统）直接接口，无需额外电平转换电路，简化设计。 典型应用还包括 LED 驱动开关、小型电机控制、负载开关、电源切换电路以及各类信号路由开关。由于采用 SOT-23 小型封装，节省 PCB 空间，适用于高密度布局的消费类电子产品。 此外，该 MOSFET 具有良好的开关特性，可用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器中的同步整流或低电流开关调节模块。其最大漏极电流约 100mA（连续），适合轻载场景，不适用于大功率驱动。 综上，ZVNL110ASTOA 广泛应用于对空间、功耗敏感的便携式设备中，作为高效、可靠的低电流开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZVNL110ASTOA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 75pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 320mA （Ta） |
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