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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK9Y12-80E,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y12-80E,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y12-80E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y12-80E,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9Y12-80E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9Y12-80E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK9Y12-80E,115 是一款单N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压（80V）和良好的热稳定性，适用于电源管理和负载开关等领域。 常见应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）中，实现高效的能量传输与管理； 2. 电机驱动：在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件； 3. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如LED照明、加热元件等； 4. 工业自动化设备：作为功率控制元件，用于PLC或工业控制模块中； 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、辅助设备控制等对可靠性要求较高的场景。 该器件采用标准封装（如SO8），易于集成，适合中高功率应用的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V LFPAK56 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BUK9Y12-80E,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 934067028115 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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