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FQN1N60CTA产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQN1N60CTA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQN1N60CTA价格参考¥1.45-¥1.45。Fairchild SemiconductorFQN1N60CTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 300mA(Tc) 1W(Ta),3W(Tc) TO-92-3。您可以下载FQN1N60CTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQN1N60CTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQN1N60CTA 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括以下几方面: 1. 开关电源(SMPS) FQN1N60CTA 的高电压耐受能力(高达 600V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以作为主开关管,在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器或充电器中实现高效的能量转换。 2. 电机驱动 在电机控制领域,该 MOSFET 可用于驱动中小型直流电机或步进电机。它的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 1.8Ω)有助于减少功率损耗,提高系统效率。 3. 逆变器和变频器 FQN1N60CTA 可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)或其他需要高压切换的变频设备中。它能够快速开关并承受高电压,确保系统的稳定运行。 4. 负载开关 在需要高效负载管理的场景中,如工业自动化设备或消费电子产品的电源管理模块,FQN1N60CTA 可用作负载开关,实现对不同负载的精确控制。 5. 电磁阀和继电器驱动 该器件适用于驱动电磁阀、继电器等需要高电压驱动的负载。其耐用性和可靠性能够满足工业环境下的严苛要求。 6. 保护电路 FQN1N60CTA 可用于过流保护、短路保护等电路设计中。通过检测电流变化并快速响应,它可以有效保护后端电路免受损坏。 总结 FQN1N60CTA 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关以及保护电路等领域。其紧凑的封装形式(TO-252/DPAK)也使得它在空间受限的设计中具有优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92MOSFET 600V NCH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
Id-连续漏极电流 | 300 mA |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQN1N60CTAQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQN1N60CTA |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.3 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9.3 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 21 ns |
下降时间 | 27 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11.5 欧姆 @ 150mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | FQN1N60CTACT |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 240 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 0.75 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 300mA (Tc) |
系列 | FQN1N60C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |