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  • 型号: IRFH7084TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH7084TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH7084TRPBF价格参考¥5.70-¥11.74。International RectifierIRFH7084TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH7084TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH7084TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 100A PQFNMOSFET MOSFET N-CH 40V 100A PQFN

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

265 A

Id-连续漏极电流

265 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7084TRPBFHEXFET®

mouser_ship_limit

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产品型号

IRFH7084TRPBF

Qg-GateCharge

127 nC

Qg-栅极电荷

127 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

0.95 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

950 uOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.9 V

上升时间

31 ns

下降时间

34 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6560pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

190nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.25 毫欧 @ 100A, 10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-PQFN(5x6)

其它名称

IRFH7084TRPBFDKR

典型关闭延迟时间

64 ns

功率-最大值

-

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

PQFN-8 5X6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

120 s

漏源极电压(Vdss)

40V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/40-v-strongirfet-power-mosfets/52482

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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