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  • 型号: IRFB7545PBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB7545PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB7545PBF价格参考¥2.30-¥2.39。International RectifierIRFB7545PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 95A(Tc) 125W(Tc) TO-220。您可以下载IRFB7545PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB7545PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N CH 60V 95A TO-220ABMOSFET MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

95 A

Id-连续漏极电流

95 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB7545PBFHEXFET®, StrongIRFET™

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产品型号

IRFB7545PBF

Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

Qg-GateCharge

75 nC

Qg-栅极电荷

75 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.7 V

上升时间

72 ns

下降时间

43 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.7V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4010pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.9 毫欧 @ 57A, 10V

产品种类

Power MOSFET Transistors

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

44 ns

功率-最大值

125W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

90 S

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/60-V-StrongIRFET-Power-MOSFETs/52378

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

95A (Tc)

配置

Single

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