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STL21N65M5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STL21N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL21N65M5价格参考¥19.44-¥19.44。STMicroelectronicsSTL21N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 650V 17A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) PowerFlat™(8x8) HV。您可以下载STL21N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL21N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL21N65M5是一款N沟道增强型MOSFET,具有650V的高击穿电压和低导通电阻(Rds(on))。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): STL21N65M5适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高耐压特性和优化的开关性能使其能够高效处理高压输入场景。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于工业和家用电机驱动应用中,例如空调压缩机、风扇、泵等。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,STL21N65M5可以作为主开关器件,用于将直流电转换为交流电,满足高效能量转换需求。 4. PFC(功率因数校正)电路: 该型号适合用于Boost PFC拓扑结构中,帮助改善功率因数并降低谐波失真,广泛应用于大功率电器和工业设备。 5. 负载切换与保护: 在需要高压负载切换的应用中,例如汽车电子、工业控制等领域,STL21N65M5可提供可靠的开关功能,并具备良好的热稳定性和耐用性。 6. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV): 可用于车载充电器、DC-DC转换器以及辅助系统中,支持高效能量管理。 总之,STL21N65M5凭借其优异的电气特性和可靠性,非常适合需要高电压、低损耗及快速开关的多种工业和消费类电子应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STL21N65M5 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1950pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 179 毫欧 @ 8.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007 |
供应商器件封装 | PowerFlat™ (8x8) HV |
其它名称 | 497-10961-6 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250669?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 3W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 4-PowerFlat™ HV |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/stmicroelectronics-powerflat-8x8/656 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |