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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9506-75B,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9506-75B,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9506-75B,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK9506-75B,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9506-75B,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的BUK9506-75B,127是一款单N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效、高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。 在消费类电子产品中,如笔记本电脑、平板和智能手机的电源管理模块中,BUK9506-75B可用于高效能电压调节系统。在工业应用中,它适用于自动化控制系统、伺服电机驱动器和电源分配系统。此外,其高可靠性和耐久性也使其适用于汽车电子系统,如车载充电器、电池管理系统(BMS)以及车身控制模块中的高侧或低侧开关。 该MOSFET采用标准封装(如TO-220或D2PAK),便于散热和安装,适用于需要高功率密度和高效能转换的各类电子设备。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 75V 75A TO220ABMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 153 A |
Id-连续漏极电流 | 153 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9506-75B,127TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BUK9506-75B,127 |
Pd-PowerDissipation | 300 W |
Pd-功率耗散 | 300 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 15 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
上升时间 | 144 ns |
下降时间 | 116 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11693pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 568-6632 |
典型关闭延迟时间 | 273 ns |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 管件 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tmb) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | BUK9506-75B |