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产品简介:
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HUF76639S3S 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件,广泛应用于需要高效功率开关的场合。该器件采用先进的沟槽工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能的特点。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等的电源模块设计。 2. 电机控制:用于无刷直流电机、步进电机等的驱动电路中,作为高效开关元件,实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 汽车电子:如车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)、电池管理系统(BMS)等,满足汽车应用对可靠性和耐环境能力的要求。 4. 工业自动化:用于PLC、工业电源、伺服驱动器等设备中,作为功率开关控制负载的通断。 5. 消费类电子产品:如智能家电、LED照明驱动、充电器等,实现节能与小型化设计。 该MOSFET适用于需要高效、高频开关操作的电路,有助于提高系统效率并减少散热设计的复杂度。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | HUF76639S3S |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | UltraFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 51A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 180W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 400 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 51A (Tc) |