Datasheet下载- 型号： FQPF2N80
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF2N80由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF2N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF2N80封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF2N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF2N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF2N80是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于多种电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器等，因其具备较高的耐压和良好的导通电阻特性，适合中高功率的电源转换系统。 2. 电机控制：在直流电机驱动、步进电机控制和电动工具中，FQPF2N80可用于实现高效的开关控制，具备良好的负载能力和开关速度。 3. 照明系统：常用于LED照明驱动电路，尤其是高亮度LED的调光和开关控制。 4. 汽车电子：如车载电源系统、灯控模块和继电器替代电路，该MOSFET具备较高的可靠性和耐用性，适合车载环境。 5. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）、工业开关和继电器模块中，用于实现快速、低损耗的电子开关功能。 6. 消费类电子产品：如充电器、适配器和家用电器中的电源控制部分。 该器件采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于通孔焊接工艺。因其性价比高、性能稳定，广泛用于中功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1.5A TO-220FMOSFET 800V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF2N80QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF2N80 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 欧姆 @ 750mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 2.2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Tc） |
| 系列 | FQPF2N80 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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