ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDD5670
Datasheet下载- 型号： FDD5670
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDD5670产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5670由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5670价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5670封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 52A（Ta） 3.8W（Ta），83W（Tc） TO-252。您可以下载FDD5670参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD5670 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的FDD5670是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：FDD5670常用于开关电源中的功率开关，能够高效地控制电流的通断，适用于AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动：在小型电机控制中，FDD5670可用作驱动晶体管，实现对电机速度和方向的精确控制，适用于家用电器、玩具和工业自动化设备。 3. 负载切换：在需要频繁切换负载的应用中，如电池管理系统（BMS），FDD5670可以快速、可靠地切断或接通负载电流。 4. 逆变器：该MOSFET适用于太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，用于将直流电转换为交流电，支持高效的能源转换。 5. 音频功放：在D类音频放大器中，FDD5670可以用作输出级开关，提供高效率和低失真的音频信号放大。 6. 保护电路：在过流保护和短路保护电路中，FDD5670可作为保护开关，防止电路因过载而损坏。 7. LED驱动：在大功率LED照明应用中，FDD5670可用于调节LED电流，确保亮度稳定并延长LED寿命。 8. 通信设备：在通信系统中，FDD5670可用作信号调制和解调的开关元件，支持高速数据传输。 这些应用得益于FDD5670的低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，使其成为许多功率管理和信号处理应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 52A D-PAKMOSFET 60V N-Ch PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
| Id-连续漏极电流 | 52 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD5670PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD5670 |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2739pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 73nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | FDD5670CT |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 27 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 52A （Ta） |
| 系列 | FDD5670 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDD5670_NL |
