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  • 型号: IRFR9214PBF
  • 制造商: Vishay
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IRFR9214PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9214PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9214PBF价格参考¥4.40-¥8.40。VishayIRFR9214PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 250V 2.7A(Tc) 50W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR9214PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR9214PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFR9214PBF 是 Vishay Siliconix 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。

该器件典型应用场景包括:

1. 电源管理:在 DC-DC 转换器、电池充电器和电源开关电路中,作为高效开关元件,提升系统能效。
2. 负载开关:用于控制电源对负载的供电,如在服务器、工业控制系统和消费电子产品中实现对电机、灯和传感器等负载的通断控制。
3. 逆变器和电机驱动:在小型逆变器或直流电机控制电路中,作为功率开关使用。
4. 保护电路:可用于过流保护、反向电压保护等场合,提高系统安全性。

由于其封装为 TO-252(DPAK),适合表面贴装,广泛应用于空间受限的 PCB 设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAKMOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.7 A

Id-连续漏极电流

2.7 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR9214PBF-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91282

产品型号

IRFR9214PBFIRFR9214PBF

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

3 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

3 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 250 V

Vds-漏源极击穿电压

- 250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

14 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

220pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 欧姆 @ 1.7A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

*IRFR9214PBF

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

50W

功率耗散

50 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

3 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

- 250 V

漏极连续电流

2.7 A

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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