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IRFR9214PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9214PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9214PBF价格参考¥4.40-¥8.40。VishayIRFR9214PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 250V 2.7A(Tc) 50W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR9214PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR9214PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR9214PBF 是 Vishay Siliconix 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 该器件典型应用场景包括: 1. 电源管理:在 DC-DC 转换器、电池充电器和电源开关电路中,作为高效开关元件,提升系统能效。 2. 负载开关:用于控制电源对负载的供电,如在服务器、工业控制系统和消费电子产品中实现对电机、灯和传感器等负载的通断控制。 3. 逆变器和电机驱动:在小型逆变器或直流电机控制电路中,作为功率开关使用。 4. 保护电路:可用于过流保护、反向电压保护等场合,提高系统安全性。 由于其封装为 TO-252(DPAK),适合表面贴装,广泛应用于空间受限的 PCB 设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAKMOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR9214PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91282 |
| 产品型号 | IRFR9214PBFIRFR9214PBF |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 1.7A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR9214PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 功率耗散 | 50 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 250 V |
| 漏极连续电流 | 2.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |