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产品简介:
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FQA10N80_F109 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于高电压和中高功率应用场景。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效能功率转换,具备高耐压(800V)与10A电流处理能力,适合高效率设计。 2. 马达驱动:适用于工业自动化设备、电动工具、风扇及泵类马达的控制电路,提供快速开关响应与稳定工作性能。 3. 照明系统:在LED路灯、工业照明或HID灯镇流器中作为功率开关,支持高可靠性和长寿命设计。 4. 家电控制:用于洗衣机、空调、微波炉等家电的功率控制模块,实现节能与精准控制。 5. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统中的DC-DC转换器,利用其高耐压特性提升系统效率与安全性。 该器件采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于需要高稳定性和耐用性的工业与消费类应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQA10N80_F109 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.05 欧姆 @ 4.9A,10V |
供应商器件封装 | TO-3PN |
功率-最大值 | 240W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 450 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.8A (Tc) |