Datasheet下载- 型号： NTD18N06T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD18N06T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD18N06T4G价格参考。ON SemiconductorNTD18N06T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD18N06T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD18N06T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD18N06T4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点，适合用于以下应用场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器等，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源模块。 2. 电机驱动：用于无刷直流电机或步进电机的控制电路中，提供快速开关响应和低损耗性能。 3. 负载开关：在电池供电系统中作为电子开关使用，实现对负载的高效控制与隔离。 4. LED照明：在LED驱动电路中用于调光控制和电流调节，支持高频率开关操作。 5. 工业自动化：用于PLC、继电器替代方案及各种工业控制系统中，提升系统效率与可靠性。 6. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等，满足汽车行业对器件可靠性和稳定性的要求。 总之，NTD18N06T4G 因其高性能和高可靠性，适用于多种中功率应用场合，尤其适合注重能效与散热设计的系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD18N06T4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NTD18N06T4GOS |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Ta） |
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