Datasheet下载- 型号： ATP112-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATP112-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATP112-TL-H价格参考。ON SemiconductorATP112-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATP112-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATP112-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATP112-TL-H 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - ATP112-TL-H 常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）和电压调节模块（VRM）。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够高效地控制电流流动，减少功率损耗。 - 在电池充电电路中，可用作开关元件以实现高效的充电管理。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。通过 PWM（脉宽调制）信号控制 MOSFET 的开关状态，可以调节电机的速度和方向。 - 在电动工具、家用电器（如风扇、水泵）中也有广泛应用。 3. 负载开关 - 用作负载开关以保护电路免受过流、短路等故障影响。例如，在 USB 充电端口或便携式设备中，可通过该 MOSFET 控制负载的开启与关闭。 4. 信号切换 - 在通信设备或数据传输线路中，ATP112-TL-H 可作为信号切换元件，用于选择不同的信号路径，同时确保低插入损耗和高隔离性能。 5. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，可用于控制灯光、雨刷器、座椅加热等功能。其坚固的设计能够承受汽车环境中的温度变化和振动。 6. 保护电路 - 用于设计过流保护、过温保护和反向电压保护电路。通过快速响应和低功耗特性，提高系统的可靠性和安全性。 总结 ATP112-TL-H 凭借其出色的电气性能（如低 Rds(on)、高击穿电压和快速开关速度），广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备以及汽车电子等领域。具体应用需根据实际需求选择合适的外围电路设计，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 25A ATPAKMOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 75 A |
| Id-连续漏极电流 | - 75 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor ATP112-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ATP112-TL-H |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 33.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 33.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 43 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 120 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ATPAK |
| 典型关闭延迟时间 | 150 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 43 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 封装/箱体 | ATPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | - 75 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Ta） |
| 系列 | ATP112 |
| 配置 | Single |
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