Datasheet下载- 型号： SI6435ADQ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6435ADQ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6435ADQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6435ADQ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI6435ADQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6435ADQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI6435ADQ-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。该器件常用于负载开关、电源转换器（如 DC-DC 转换器）、电池供电设备及电机控制电路中。其高频率响应和低导通电阻特性使其在高效能开关应用中表现优异。此外，SI6435ADQ-T1-GE3 还广泛应用于通信设备、工业自动化系统以及消费类电子产品中的电源管理系统。由于其封装小巧且性能稳定，也适合对空间要求较高的便携式设备设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOPMOSFET 30V 5.5A 1.5W 30mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71104 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6435ADQ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI6435ADQ-T1-GE3SI6435ADQ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6435ADQ-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 1.05W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.7A （Ta） |
| 系列 | SI6435ADQ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI6435ADQ-GE3 |
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